標準編號：GB/T 1554-2009硅晶體完整性化學擇優腐蝕檢驗方法
標準狀態：現行
標準簡介：本標準規定了用擇優腐蝕技術檢驗硅晶體完整性的方法。本標準適用于晶向為<111>、<100>或<110>、電阻率為10-3 Ω·cm~104 Ω·cm、位錯密度在0cm-2~105cm-2之間的硅單晶錠或硅片中原生缺陷的檢驗。
英文名稱： Testing method for crystallographic perfection of silicon by preferential etch techniques
替代情況： 替代GB/T 1554-1995
中標分類： 冶金>>半金屬與半導體材料>>H80半金屬與半導體材料綜合
ICS分類： 電氣工程>>29.045半導體材料
發布部門： 中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
發布日期： 2009-10-30
實施日期： 2010-06-01
首發日期： 1979-05-26
提出單位： 全國半導體設備和材料標準化技術委員會
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