GB/T 1555-2009半導(dǎo)體單晶晶向測定方法
實(shí)驗(yàn)室擁有眾多大型儀器及各類分析檢測設(shè)備，研究所長期與各大企業(yè)、高校和科研院所保持合作伙伴關(guān)系，始終以科學(xué)研究為首任，以客戶為中心，不斷提高自身綜合檢測能力和水平，致力于成為全國科學(xué)材料研發(fā)領(lǐng)域服務(wù)平臺。
立即咨詢網(wǎng)頁字號：【大 中 小 】 | 【打印】 【關(guān)閉】 微信掃一掃分享：
注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整，暫不接受個人委托測試望見諒。
標(biāo)準(zhǔn)編號：GB/T 1555-2009半導(dǎo)體單晶晶向測定方法
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
標(biāo)準(zhǔn)簡介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體單晶晶向X 射線衍射定向和光圖定向的方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于測定半導(dǎo)體單晶材料大致平行于低指數(shù)原子面的表面取向。
英文名稱： Testing methods for determining the orientation of a semiconductor single crystal
替代情況： 替代GB/T 1555-1997
中標(biāo)分類： 冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
ICS分類： 電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料
發(fā)布部門： 中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
發(fā)布日期： 2009-10-30
實(shí)施日期： 2010-06-01
首發(fā)日期： 1979-05-26
提出單位： 全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會
掃一掃關(guān)注公眾號
