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GB/T 14141-2009硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的測定

發布時間：2025-06-13 15:50:33- 點擊數： - 關鍵詞：GB/T 14141-2009硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的測定

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標準編號：GB/T 14141-2009硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的測定直排四探針法

標準狀態：現行

標準簡介：本標準規定了用直排四探針測量硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的方法。本標準適用于測量直徑大于15.9mm 的由外延、擴散、離子注入到硅片表面上或表面下形成的薄層的平均薄層電阻。硅片基體導電類型與被測薄層相反。適用于測量厚度不小于0.2μm 的薄層,方塊電阻的測量范圍為10Ω~5000Ω。該方法也可適用于更高或更低阻值方塊電阻的測量,但其測量精確度尚未評估。

英文名稱： Test method for sheet resistance of silicon epitaxial,diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array

替代情況：替代GB/T 14141-1993

中標分類：冶金>>半金屬與半導體材料>>H80半金屬與半導體材料綜合

ICS分類：電氣工程>>29.045半導體材料

發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局中國國家標準化管理委員會

發布日期： 2009-10-30

實施日期： 2010-06-01

首發日期： 1993-02-06

提出單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC203)

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