標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 26068-2018

標(biāo)準(zhǔn)名稱(chēng)：硅片和硅錠載流子復(fù)合壽命的測(cè)試　非接觸微波反射光電導(dǎo)衰減法

標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了單晶和鑄造多晶的硅片及硅錠的載流子復(fù)合壽命的非接觸微波反射光電導(dǎo)衰減測(cè)試方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅錠和經(jīng)過(guò)拋光處理的n型或p型硅片(當(dāng)硅片厚度大于1 mm時(shí)，通常稱(chēng)為硅塊)載流子復(fù)合壽命的測(cè)試。在電導(dǎo)率檢測(cè)系統(tǒng)靈敏度足夠的條件下，本標(biāo)準(zhǔn)也可用于測(cè)試切割或經(jīng)過(guò)研磨、腐蝕的硅片的載流子復(fù)合壽命。通常，被測(cè)樣品的室溫電阻率下限在0.05 Ω·cm~10 Ω·cm之間，由檢測(cè)系統(tǒng)靈敏度的極限確定。載流子復(fù)合壽命的測(cè)試范圍為大于0.1 μs，可測(cè)的最短壽命值取決于光源的關(guān)斷特性及衰減信號(hào)測(cè)定器的采樣頻率，最長(zhǎng)可測(cè)值取決于樣品的幾何條件及其表面的鈍化程度。

英文名稱(chēng)：Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers and silicon ingots—Non-contact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance method

標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行

發(fā)布日期：2018-12-28

實(shí)施日期：2019-11-01

出版語(yǔ)種：中文簡(jiǎn)體

標(biāo)準(zhǔn)ICS號(hào)：77.040

中標(biāo)分類(lèi)號(hào)：H21

提出部門(mén)：全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 203)、全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分會(huì)(SAC/TC 203/SC 2)

發(fā)布部門(mén)：國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局、中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)