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GB/T 223.83-2009鋼鐵及合金 高硫含量的測定
GB/T 223.83-2009鋼鐵及合金 高硫含量的測定 感應爐燃燒后紅外吸收法，本部分規定了用感應爐燃燒紅外吸收法測定鋼鐵中硫含量的方法。本方法適用于質量分數為0.10%~0.35%硫含量的測定。
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GB/T 223.86-2009 鋼鐵及合金 總碳含量的測定
GB/T 223.86-2009 鋼鐵及合金 總碳含量的測定 感應爐燃燒后紅外吸收法，本部分規定了用感應爐燃燒后紅外吸收法測定鋼鐵中總碳含量的方法。本部分適用于質量分數為0.003%~4.5%的碳含量的測定。
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GB/T 1551-2009硅單晶電阻率測定方法
GB/T 1551-2009硅單晶電阻率測定方法，本方法規定了用直排四探針法測量硅單晶電阻率的方法。本方法適用于測量試樣厚度和從試樣邊緣與任一探針端點的最近距離二者均大于探針間距的4倍的硅單晶體電阻率以及測量直徑大于探針間距10倍、厚度小于探針間距4倍的硅單晶圓片的電阻率。
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GB/T 1553-2009硅和鍺體內少數載流子壽命測定
GB/T 1553-2009硅和鍺體內少數載流子壽命測定光電導衰減法，本標準規定了硅和鍺單晶體內少數載流子壽命的測量方法。本標準適用于非本征硅和鍺單晶體內載流子復合過程中非平衡少數載流子壽命的測量。
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GB/T 1554-2009硅晶體完整性化學擇優腐蝕檢驗方法
GB/T 1554-2009硅晶體完整性化學擇優腐蝕檢驗方法，本標準規定了用擇優腐蝕技術檢驗硅晶體完整性的方法。本標準適用于晶向為<111>、<100>或<110>、電阻率為10-3 Ω·cm~104 Ω·cm、位錯密度在0cm-2~105cm-2之間的硅單晶錠或硅片中原生缺陷的檢驗。
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GB/T 1555-2009半導體單晶晶向測定方法
GB/T 1555-2009半導體單晶晶向測定方法，本標準規定了半導體單晶晶向X 射線衍射定向和光圖定向的方法。本標準適用于測定半導體單晶材料大致平行于低指數原子面的表面取向。
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GB/T 1558-2009硅中代位碳原子含量 紅外吸收測量方法
GB/T 1558-2009硅中代位碳原子含量 紅外吸收測量方法，本標準規定了硅中代位碳原子含量的紅外吸收測量方法。本標準適用于電阻率高于3Ω·cm 的p型硅片及電阻率高于1Ω·cm 的n型硅片中代位碳原子含量的測定,對于精密度要求不高的硅片,可以測量電阻率大于0.1Ω·cm 的硅片中代位碳原子含量。由于碳也可能存在于間隙位置,因而本方法不能測定總碳含量。本標準也適用于硅多晶中代位碳原子含量的測定,但其晶粒界間區的碳同樣不能測定。
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GB/T 2933-2009充氣輪胎用車輪和輪輞的術語、規格代號和標志
GB/T 2933-2009充氣輪胎用車輪和輪輞的術語、規格代號和標志，本標準規定了充氣輪胎用車輪和輪輞的相關術語詞匯和規格代號及標志系統,旨在定義車輪和輪輞的基礎術語,而非提供車輪所有設計特征的詳盡列表。本標準還規定了車輪和輪輞標志的內容、位置和最小尺寸,目的是確立統一的車輪和輪輞識別系統。
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